Ƙananan Kunshin MOSFETs

Lokacin da MOSFET ta haɗa da bas da ƙasa mai kaya, ana amfani da babban ƙarfin wutan gefe. Sau da yawa P-tasharMOSFETsAna amfani da su a cikin wannan topology, kuma don la'akari da ƙarfin lantarki. Ƙayyade ƙima na yanzu Mataki na biyu shine zaɓar ƙimar MOSFET na yanzu. Dangane da tsarin kewayawa, wannan ƙimar na yanzu yakamata ya zama matsakaicin halin yanzu wanda kaya zai iya jurewa a ƙarƙashin kowane yanayi.

Hakazalika da yanayin ƙarfin lantarki, dole ne mai zane ya tabbatar da cewa an zaɓaMOSFETzai iya jure wa wannan kima na yanzu, ko da lokacin da tsarin ke haifar da igiyoyi masu karu. Abubuwa biyu na yanzu da aka yi la'akari da su sune yanayin ci gaba da bugun bugun jini. FDN304P DATASHEET yana yin nuni da wannan siga, inda MOSFET ke cikin tsayayyen yanayi a ci gaba da tafiyar da yanayin, lokacin da halin yanzu ke ci gaba da gudana ta na'urar.

Ƙunƙarar bugun jini shine lokacin da aka sami girma mai girma (ko karu) na halin yanzu yana gudana ta cikin na'urar. Da zarar an ƙayyade iyakar halin yanzu a ƙarƙashin waɗannan sharuɗɗan, kawai batun zaɓin na'urar kai tsaye ce wacce za ta iya jure wannan matsakaicin halin yanzu.

Bayan zabar ƙimar halin yanzu, asarar tafiyarwa dole ne kuma a ƙididdige shi. A aikace, MOSFETs ba na'urori masu kyau ba ne saboda akwai asarar wutar lantarki a lokacin tsarin gudanarwa, wanda ake kira asarar gudanarwa.

MOSFET yana aiki azaman mai jujjuyawar canji lokacin da yake “kunna”, kamar yadda RDS(ON) na na'urar ya ƙaddara, kuma ya bambanta sosai da zafin jiki. Ana iya ƙididdige wutar lantarki na na'urar daga Iload2 x RDS(ON), kuma tun da juriya ya bambanta da zafin jiki, wutar lantarki ya bambanta daidai gwargwado. Mafi girman ƙarfin wutar lantarki VGS da ake amfani da shi ga MOSFET, ƙarami RDS(ON) zai kasance; Sabanin haka mafi girman RDS(ON) zai kasance. Ga mai tsara tsarin, wannan shine inda kasuwancin ke shiga cikin wasa dangane da ƙarfin tsarin. Don ƙirar ƙirar šaukuwa, yana da sauƙi (kuma mafi yawan gama gari) don amfani da ƙananan ƙarfin lantarki, yayin da don ƙirar masana'antu, ana iya amfani da ƙananan ƙarfin lantarki.

Lura cewa juriya na RDS(ON) yana tashi kaɗan tare da halin yanzu. Ana iya samun bambance-bambance akan sigogin lantarki daban-daban na resistor RDS(ON) a cikin takardar bayanan fasaha da masana'anta suka bayar.

Ƙayyade Bukatun thermal Mataki na gaba na zaɓar MOSFET shine ƙididdige buƙatun thermal na tsarin. Dole ne mai zanen ya yi la'akari da yanayi biyu daban-daban, mafi munin yanayi da kuma gaskiyar lamarin. Ana ba da shawarar cewa a yi amfani da ƙididdigewa ga mafi munin yanayi, saboda wannan sakamakon yana ba da mafi girman gefen aminci kuma yana tabbatar da cewa tsarin ba zai gaza ba.

Har ila yau, akwai wasu ma'auni da za a sani a kanMOSFETtakardar bayanai; kamar juriya na thermal tsakanin mahaɗin semiconductor na na'urar da aka haɗa da yanayin yanayi, da matsakaicin zafin haɗuwa. Matsakaicin yanayin mahaɗin na'urar daidai yake da matsakaicin zafin yanayi tare da samfurin juriya na zafi da tarwatsewar wuta (zazzabi na mahaɗin = matsakaicin zafin yanayi + [juriyawar thermal x wutar lantarki]). Daga wannan ma'auni za a iya warware iyakar wutar lantarki na tsarin, wanda shine ta ma'anar daidai da I2 x RDS(ON).

Tun da mai zane ya ƙayyade iyakar halin yanzu da zai wuce ta na'urar, RDS(ON) za a iya ƙididdige shi don yanayin zafi daban-daban. Yana da mahimmanci a lura cewa lokacin da ake hulɗa da samfurori masu sauƙi na thermal, mai zane dole ne kuma yayi la'akari da ƙarfin zafi na mahaɗin semiconductor / shinge na na'ura da shinge / muhalli; watau, ana buƙatar da bugu na da'ira da kuma kunshin kada su dumi nan da nan.

Yawancin lokaci, PMOSFET, za a sami diode parasitic, aikin diode shine hana haɗin haɗin tushen-magudanar ruwa, don PMOS, fa'ida akan NMOS shine cewa kunna wutar lantarki na iya zama 0, kuma bambancin wutar lantarki tsakanin DS ƙarfin lantarki ba shi da yawa, yayin da NMOS a kan yanayin yana buƙatar VGS ya fi girma fiye da kofa, wanda zai haifar da wutar lantarki mai sarrafawa ba makawa ya fi ƙarfin da ake bukata, kuma za a sami. matsalar da ba dole ba. Ana zabar PMOS a matsayin mai sarrafa wutar lantarki, akwai aikace-aikace guda biyu masu zuwa: aikace-aikacen farko, PMOS don aiwatar da zaɓin wutar lantarki, lokacin da V8V ya kasance, sai wutar lantarki duk V8V ce ke bayarwa, PMOS za a kashe, VBAT Ba ya samar da wutar lantarki ga VSIN, kuma idan V8V ya yi ƙasa, VSIN yana aiki da 8V. Lura da ƙasa na R120, resistor wanda a hankali yake jan wutar lantarkin ƙofar ƙasa don tabbatar da kunnawar PMOS mai dacewa, haɗarin jihar da ke da alaƙa da babban kofa da aka kwatanta a baya.

Ayyukan D9 da D10 sune don hana dawo da wutar lantarki, kuma ana iya barin D9. Ya kamata a lura cewa DS na kewayawa yana juyawa a zahiri, don haka ba za a iya samun aikin bututu mai canzawa ta hanyar gudanar da diode da aka haɗe ba, wanda ya kamata a lura da shi a aikace-aikace masu amfani. A cikin wannan da'irar, siginar sarrafawa PGC tana sarrafa ko V4.2 yana ba da wuta ga P_GPRS. Wannan kewaye, tushen da magudanar ruwa ba a haɗa su da akasin haka, R110 da R113 sun wanzu a cikin ma'anar cewa R110 mai kula da ƙofar halin yanzu ba ta da girma, R113 na al'ada mai kula da kofa, R113 ja-up for high, kamar na PMOS, amma kuma za a iya gani a matsayin ja-up a kan siginar sarrafawa, lokacin da MCU na ciki fil da ja-up, wato, fitarwa na buɗaɗɗen ruwa lokacin da fitarwa ba ta fitar da PMOS ba. kashe, a wannan lokacin, da Yana bukatar wani waje ƙarfin lantarki don ba da jan-up, don haka resistor R113 taka biyu rawa. r110 na iya zama karami, zuwa 100 ohms na iya zama.

Ƙananan kunshin MOSFETs suna da rawar da za su taka.